페이지 정보
본문
안진호 교수
한양대학교 신소재공학부
EUV Lithography
반도체 제조기술의 핵심에 있는 리소그래피(노광) 공정은 점차 그 중요성이 확대되고 있다. 2019년 우리나라에서 세계 최초로 양산에 적용되기 시작한 EUV 리소그래피 기술은 메모리 산업에서 탈피하여 비메모리 산업으로의 진출하고자 하는 우리나라 반도체 산업의 열망의 중심에 있다. EUV 노광기술 연구개발의 역사, EUV 광원, EUV 광학계, EUV 레지스트, EUV 마스크, EUV 펠리클 등 EUV 노광기술의 전반을 입문 과정의 수준에서 다룬다.
1. Introduction: EUV 노광기술의 특징과 연구개발의 역사
2. EUV source: Laser-produced plasma, Discharge-produced plasma, Free electron laser
3. EUV optics: 다층반사막의 원리 및 anamorphic 광학계
4. EUV mask: Binary mask, High-k mask, Phase shift mask
5. EUV resist: Chemically amplified resists, Metal oxide resist
6. EUV pellicle: Pellicle의 개념, 요구특성 및 개발현황
- 1992 ~ 1995
일본전기 (NEC) Microelectronics Research Labs 연구원
- 2004 ~ 2011
반도체연구조합 (System IC 2010 사업단, 차세대성장동력반도체사업단) 전문위원
- 2002 ~ 2011
극지외선노광기술개발사업단 단장
- 2006 ~ 2011
디스플레이용노광장비개발사업단 단장
- 2010 ~ 2011
국가과학기술위원회 주력산업분과 위원
- 2012 ~ 2016
방사광이용자협의회 이사
- 2012 ~ 2014
한국연구재단 나노융합단장
- 2012 ~ 2017
한양대학교 산합협력단장/연구처장
- 2019 ~ 2020
국가과학기술심의회 ICT융합전문위원
- Current
국가연구협의체 극자외선노광기술산합협력센터 (EUV-IUCC) 센터장
BK21 소재부품장비 나노컨버전스교육연구단 단장
소재부품장비특별위원회 기술실무위원/정책제도 위원
Nano Korea Symposium 위원장
나노기술연구협의회 학술위원장
공학한림원 정회원
나노인프라협의체 이사
반도체성장펀드 자문위원