강의명

Working Mechanisms of Photoresists and Technology Trend

강의 요약

본 강좌에서는 고해상도 반도체 및 디스플레이의 제작에 핵심 기술로 적용되는 포토리소그라피에 대해 간략히 살펴보고, 이를 가능케 하는 감광소재인 포토레지스트를 화학 반응의 관점에서 이해해 보고자 한다. 포토레지스트는 전기 회로도를 기판에 옮겨 그리는 공정에서 잉크의 역할을 하는 소재로서, 광화학 반응 또는 산촉매에 의한 작용기 분해반응을 거쳐 현상액에 대한 용해도가 변화한다. 436-365 nm의 장파장 자외선 조사영역에서 우수한 특성을 보이는 재료부터, 248 nm, 193 nm의 deep UV 영역, 그리고 최근 대외적인 문제로 이슈가 된 고에너지 극자외선 (EUV, 파장 13.5 nm) 조사 조건에서 원활히 작동하는 레지스트 등 다양한 재료가 이용되고 있다. 장파장 광원용 "비화학증폭형 포토레지스트(nCAR)", "단파장 광원용 화학증폭형 포토레지스트 (CAR)"의 작동원리를 유기화학을 바탕으로 살펴보고, 고성능 EUV 레지스트의 구현에 적용되는 여러 화학적 접근법도 함께 소개하고자 한다. 포토레지스트와 함께, 보다 높은 해상도의 회로 패턴을 구현하기 위한 Multi Patterning Technique도 간단히 소개하면서 강좌를 마무리한다.